Opracowanie innowacyjnego aktywnego filtra harmonicznych z tranzystorami z węglika krzemu (SiC) z bezstratnymi obwodami łagodzenia du/dt przeznaczonego do sieci przemysłowych średniego napięcia.
Aktualnie sieci przemysłowe średniego napięcia są narażone na zakłócenia pochodzące od falowników (inwerterów) dużej mocy, pracujących w procesach przemysłowych, farmach fotowoltaicznych i farmach wiatrowych przyłączonych do sieci przemysłowych. Przyczyną zakłóceń jest praca tranzystorów IGBT z relatywnie niską częstotliwością przełączeń, rzędu 2 kHz lub niższą – co powoduje generowanie do sieci szkodliwych prądów wyższych harmonicznych. Praca tranzystorów IGBT z częstotliwością 2 kHz jest źródłem prądu 40-tej harmonicznej. Podobnie praca prostowników 24-pulsowych w ciężkich napędach przemysłowych jest źródłem prądów 47-mej oraz 49-tej harmonicznej. Prądy harmonicznych powyżej 31-szej nie są obecnie wogóle kompensowane w sieciach średniego napięcia. Powodem jest brak technologii szybkiego przełączania tranzystorów w oferowanych na rynku filtrach harmonicznych średniego napięciu. Prądy wyższych harmonicznych powodują szereg negatywnych skutków dla zasilanych z sieci średniego napięcia zakładów przemysłowych, lotnisk, dworców, szpitali, centrów danych i innych obiektów użyteczności publicznej. Do najbardziej uciążliwych skutków należą awarie obwodów sterowania, nieprawidłowe działanie aparatury zabezpieczającej, uszkodzenia izolacji kabli i transformatorów, nagrzewanie baterii kondensatorów oraz utrata komunikacji w systemach SCADA.
Opracowany w Projekcie Aktywny Filtr Harmonicznych o mocy 250 kVA ma konstrukcję falownika 9-poziomowego z ultraszybkimi tranzystorami SiC. Może pracować w sieciach przemysłowych 3,3 kV oraz 6 kV. Dla uzyskania ultraszybkiego przełączania tranzystorów SiC MOSFET bez towarzyszących tak szybkiemu przełączaniu niepożądanych zjawisk fizycznych natury kompatybilności elektromagnetycznej (EMC) w Projekcie opracowano i zastosowano bezstratne układy łagodzenia stromości zmian napięcia du/dt tranzystorów SiC MOSFET. Innowacyjne w skali światowej rozwiązanie jest chronione zgłoszeniem patentowym.
Your project description
To add a photo, description, specify a location or attach other materials about the project, you should fill out the form below. After clicking the “send” button, a message will be sent to you e-mail asking for confirmation. You must accept to submit the form. The EU Dot Map Guidelines and consent to the processing of personal data. materials will be sent to the editor of the site, who will publish it on the website after verification test.