Electronic transport in semiconducting and superconducting monolayer transition metal dichalcogenide nanodevices
Within this project we intend to describe electronic transport properties of prototypical semiconducting monolayers realized on transition metal dichalcogenides to guide and interpret forthcoming realizations of atomic-thick field effect transistors and superconducting junctions. We will perform quantum transport simulations that base on state-of-the-art tight-binding modeling addressing challenges that include: how the edge type affects the transport through a gated monolayer nanoribbon; how to identify impurities such as atomic vacancies and quantum dots by the means of electronic transport; what are the effects of valley-spin mixing and valley splitting on the conductivity of Josephson junctions; how to interpret quasiparticle current in biased Josephson junctions.
Twój opis projektu
MiAby dodać zdjęcie, opis lub załączyć inne materiały dotyczące projektu, powinieneś wypełnić poniższy formularz. Po kliknięciu przycisku „wyślij” zostanie przesłana do Ciebie wiadomość e-mail z prośbą o potwierdzenie. Do przesłania formularza niezbędne jest zaakceptowanie Regulaminu Mapy Dotacji UE oraz zgoda na przetwarzanie danych osobowych. Materiały zostaną przesłane do redaktora serwisu, który po sprawdzeniu opublikuje je na stronie.